geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 108A 85V N Kanal Geliştirme Modu Güç Mosfet DHS042N85P DFN5*6-8

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

108A 85V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

108A 85V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
Kullanılabilirliği:
Miktar:

108A 85V N Kanal Geliştirme Modu Power MOSFET


1 Açıklama

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● Direnç düşük

● Düşük kapı şarjı 

● Yüksek çığ akımı 

● Düşük ters transfer kapasitansları

●% 100 tek nabız çığ enerji testi

●% 100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● SMP'lerde senkron düzeltme 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler

● UPS 

● Motor kontrolü


VDSS RDS (ON) (tip) İD
85V 4.2mΩ 108a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun