108A 85V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

108A 85V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Yüksek çığ akıntısı 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● SMPS'de eşzamanlı düzeltme 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler

● UPS 

● Motor kontrolü

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
85V	4,2 mΩ	108A