108A 85V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

108 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS 

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung

● Elektrowerkzeuge

● USV 

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
85V	4,2 mΩ	108A