värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS » 108A 85V N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

laadimine

Jaga:
Facebooki jagamisnupp
twitteris jagamise nupp
rea jagamise nupp
wechati jagamisnupp
linkedini jagamisnupp
pinteresti jagamisnupp
whatsapi jagamisnupp
jaga seda jagamisnuppu

108A 85V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

108A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET
Saadavus:
Kogus:

108A 85V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET


1 Kirjeldus

Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate kraavitehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile. 


2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal takistus

● Värava madal laeng 

● Suur laviinivool 

● Madal pöördülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test 


3 Rakendused 

● Sünkroonalaldus SMPS-is 

● Tugev lülitus ja kiire vooluahel

● Elektrilised tööriistad

● UPS 

● Mootori juhtimine


VDSS RDS (sees) (TYP) ID
85V 4,2 mΩ 108A


Eelmine: 
Järgmine: 
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti