brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 105A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07D TO-252B

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

105A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07D TO-252B

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 95A 68V N-channel Enhancement Mode


1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Vysoký lavinový proud 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 


3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS 

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí

● UPS 

● Ovládání motoru

VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
68V 6,0 mΩ 95A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky