gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » 105A 68V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHS055N07D TO-252B

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

105A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N07D TO-252B

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad design med splite gate trench-teknologi, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:

95A 68V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivning 

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad design med splite gate trench-teknologi, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 


2 funktioner

● Snabb växling 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Hög lavinström 

● Låga omvända överföringskapacitanser

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 


3 Applikationer 

● Synkron likriktning i SMPS 

● Hård omkoppling och höghastighetskrets

● Elverktyg

● UPS 

● Motorstyrning

VDSS RDS(på)(TYP) ID
68V 6,0 mΩ 95A


Tidigare: 
Nästa: 
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg