未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS N -kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindavgift. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 40V


1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindavgift. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Snabbbrytning 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Hög lavinström 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Power Switching -applikationer 

● Inverterhanteringssystem 

● Strömverktyg

● Automotive Electronics

Vds Rds (on) (typ) Id
40V 1,7 mΩ 180A


ladda ner Donghai+DHS020N04 & DHS020N04E+Datablad+v2.0.pdf

Tidigare: 
Nästa: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com