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Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de compuerta de espíritu, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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Modo de mejora de canal N potencia MOSFET 180A 40V


1 descripción 

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de compuerta de espíritu, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Corriente de alta avalancha 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas

● Electrónica automotriz

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 1.7mΩ 180A


descargar Donghai+DHS020N04 y DHS020N04E+Hoja de datos+V2.0.pdf

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