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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Modo de aprimoramento de canal n

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado de tecnologia de portão de divisão, proporcionou um excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

Modo de aprimoramento N-canal MOSFET 180A 40V


1 Descrição 

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado de tecnologia de portão de divisão, proporcionou um excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● Comutação rápida 

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Alto avalanche atual 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações 

● Aplicativos de comutação de energia 

● Sistema de gerenciamento de inversor 

● Ferramentas elétricas

● Eletrônica automotiva

VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
40V 1.7mΩ 180A


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