47A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET TO-220C
Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad SGT Trench Technology Design, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad SGT Trench Technology Design, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
2 funktioner
● Låg motstånd
● Låg grindavgift
● Snabbbrytning
● Låg omvänd överföringskapacitanser
● 100% enkelpuls snöskredsenergitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Power Switching -applikationer
● DC-DC-omvandlare
● Full Bridge Control
Vds
Rds (on) (typ)
Id
100V
18 MΩ
47a
47A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad SGT Trench Technology Design, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
