Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DHS180N10L
WXDH
До-220c
100 В
47а
47A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались Advanced Sgt Trench Technology Design, обеспечивая отличную заряду RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Преобразователи DC-DC
● Полное управление мостом
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 18 МОм | 47а |
47A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались Advanced Sgt Trench Technology Design, обеспечивая отличную заряду RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Преобразователи DC-DC
● Полное управление мостом
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 18 МОм | 47а |