未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu »» Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS » 47A 100V N-kanali parendamise režiim Power Mosfet TO-220C

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

47A 100 V N-kanaliga tugevdusrežiimi toitem MOSFET TO-220C

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud SGT Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

47A 100 V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET


1 kirjeldus 

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud SGT Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni 

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Kiire vahetamine 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused 

● DC-DC muundurid 

● Silla täielik kontroll


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
100 V 18 MΩ 47a


alla laadima Seade DHS180N10L spetsifikatsioon.pdf

Eelmine: 
Järgmine: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com