12A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH850N10D TO-252B

12A 100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning 

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning

● Snabb växling 

● Låga omvända överföringskapacitanser

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Strömväxlingsapplikationer 

● Inverter management system 

● Elverktyg 

● Bilelektronik

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
100V	86 mΩ	12A