12A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH850N10D bis 252B

12A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik