12A 100V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DH850N10D TO-252B

12A 100V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis 

Ovi mosfeti s N-kanalnim modom poboljšanja koristili su napredni dizajn tehnologije trench, dajući izvrstan Rdson i nizak naboj vrata. Što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke 

● Nizak otpor 

● Nizak naboj vrata

● Brzo prebacivanje 

● Niski kapaciteti povratnog prijenosa

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 Prijave 

● Aplikacije za prebacivanje napajanja 

● Sustav upravljanja pretvaračem 

● Električni alati 

● Automobilska elektronika

VDSS	RDS(uključen)(TYP)	ID
100V	86 mΩ	12A