未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12V-300V N MOS » 12A 100V N-kanalforbedringsmodus MOSFET DH850N10D TO-252B

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknappen
Sharethis delingsknapp

12A 100V N-kanalforbedringsmodus MOSFET DH850N10D TO-252B

12A 100V N-kanalforbedringsmodus strøm MOSFET
tilgjengelighet:
Mengde:
Spørre Legg til kurv

12A 100V N-kanalforbedringsmodus MOSFET


1 Beskrivelse 

Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte avansert grøfteteknologidesign, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner 

● Lav på motstand 

● Lav portladning

● Rask bytte 

● Lav omvendte overføringskapasitanser

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 


3 søknader 

● Power Switching -applikasjoner 

● Omformersadministrasjonssystem 

● Elektriske verktøy 

● Automotive Electronics

VDSS Rds (på) (typ) Id
100V 86 MΩ 12a


Tidligere: 
NESTE: 
12A 100V N-kanalforbedringsmodus MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen
    Send inn
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com