未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12V-300V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

12 В-300В N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
40A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD80N03 до 252B DHD80N03 До 252b 30 В 40a DHD80N03_DATASHEET_V3.0.PDF
90A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH045N04D до 252B DH045N04D До 252b 100 В 50а Устройство DH045N04 Specification.pdf
45A 100 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS160N100D до 252B DHS160N100D До 252b 100 В 45а DHS160N100D_DATASHEET_V2.0.PDF
100 В/2,9 мм/190A N-MOSFET DSU035N10N3A Toll DSU035N10N3A ПОТЕРИ 100 В 190a DSU035N10N3A_DATASHEET_V1.0.PDF
180A 100 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 До-220c 100 В 180a Устройство+DHS035N10 & DHS035N10E+Спецификация+Rev.1.0 (1) .pdf
25A 100 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet D25N10 до 252B D25N10 До 252b 100 В 25а Устройство 25N10 Спецификация.pdf
120A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DTG045N04NA до-220C DTG045N04NA До-220c 40 В 120a Устройство+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Спецификация+Rev.1.0.pdf
120A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DTE043N04NA до 263 DTE043N04NA До 263 40 В 120a Устройство+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Спецификация+Rev.1.0.pdf
68 В/7,2 МОм/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N До 252b 68 В 80A DTD080N07N_DATASHEET_V1.0.PDF
100 В/8 МОм/68A N-MOSFET DSD090N10L3A до 252B DSD090N10L3A До 252b 100 В 68а DSD090N10L3A_DATASHEET_V1.0.PDF
120A 70V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS130N06D до 252B DHS130N06D До 252b 70В 120a Donghai+DHS130N06B & DHS130N06D+DataSheeT+v3.0 (1) .pdf
40 В/4,5 МОм/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
160A 120V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS044N12 до-220C DHS044N12 До-220c 120 В 160a Устройство DHS044N12 Specification.pdf
120A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS021N04D до 252B DHS021N04D До 252b 40 В 120a Donghai+DHS021N04D+DataSheet+v3.0.pdf
160A 120V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS044N12E до 263 DHS044N12E До 263 120 В 160a DHS044N12 & DHS0444N12E_DATASHEET_V1.0.PDF
85V/0,9 мм/360A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A ПОТЕРИ 85 В 360a DSU011N08N3A_DATASHEET_V1.0.PDF
200 В/11 МОм/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA До 263 200 В 110a DSE108N20NA_DATASHEET_V1.0.PDF
100A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH066N06D до 252B DH066N06D До 252b 60 В 100А DH066N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
N-канальный режим режима мощности 18n20/f18n20/i18n20/e18n20/b18n20/d18n20
100 В/15 МОм/50A N-MOSFET до 252B DHS180N10LD До 252b 100 В 50а DHS180N10LD_DATASHEET_V1.0-SOQ.PDF

Видео продукта

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com