未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
70A 82V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82 V 70 A Specifikimi i pajisjes DH8290.pdf
160A 120V 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120 V 160 A Specifikimi i pajisjes DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85 V 215A Donghai_DH025N08_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
81A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30 V 81A Fletë e të dhënave Donghai_DHP90N03_YAF_ V1.0(1).pdf
160A 40V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160 A Specifikimi i pajisjes 110N04.pdf
65A 30V 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 V 65A Specifikimi i pajisjes DH033N03R.pdf
90A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90 A Specifikimi i pajisjes DH90N03 B17.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80 A Specifikimi i pajisjes 80N06.pdf
MOSFET me fuqi 110A 100V të modalitetit të përmirësimit të kanaleve N D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180 A Device+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 85 V Fuqia MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Device+DSG048N08N3+Specification+Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150 A Specifikimi i pajisjes DSG059N15NA.pdf
18A 200V 200V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Specifikimi i pajisjes D18N20 Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50 A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150 A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
9A 200V 200V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9A Specifikimi i pajisjes 630.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specifikimi i pajisjes DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DH90N045RSM2.pdf
DH030N03

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com