未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
9A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A Špecifikácia zariadenia 630.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Zariadenie 110N04 Špecifikácia.pdf
65A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Zariadenie DH033N03R Špecifikácia.pdf
90A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Zariadenie DH90N03 B17 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Zariadenie 80N06 Špecifikácia.pdf
110A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Zariadenie+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
180A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Zariadenie DH029N08 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N98-Rev.1.0.pdf
59A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
145A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Zariadenie DH028N03 Špecifikácia.pdf
81A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
100A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com