未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
70A 82V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82 V 70A Špecifikácia zariadenia DH8290.pdf
160A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Špecifikácia zariadenia DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
81A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
160A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Zariadenie 110N04 Špecifikácia.pdf
90A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Zariadenie DH90N03 B17 Špecifikácia.pdf
65A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Zariadenie DH033N03R Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Zariadenie 80N06 Špecifikácia.pdf
110A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Zariadenie+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Špecifikácia zariadenia DSG059N15NA.pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Zariadenie+DSG048N08N3+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
100A 30V režim vylepšenia N-kanálu výkon MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Špecifikácia zariadenia D18N20 Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
9A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A Špecifikácia zariadenia 630.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Špecifikácia zariadenia DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Zariadenie DH90N045RSM2 Špecifikácia.pdf
DH030N03

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com