未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300V N MOS
Model:
Balík:
V:
A:
Vybrané produktové rady:

12v-300 V n MOS

obrazového modelu Balík v DataShet do podrobne popisuje dopyt koša
90A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH045N04D TO-252B Dh045n04d Až 252b 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
45A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D Až 252b 100 V 45a DHS160N100D_DATASEet_V2.0.pdf
140A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 Dfn5x6-8l 40V 140a Zariadenie DHP035N04 Špecifikácia.pdf
100 V/2,9MΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A Mýto 100 V 190A DSU035N10N3A_DATASEet_V1.0.pdf
180A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 Až 220 ° C 100 V 180A Zariadenie+DHS035N10 a DHS035N10E+Špecifikácia+rev.1.0 (1) .pdf
25A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 Až 252b 100 V 25a Zariadenie 25N10 Špecifikácia.pdf
120A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C Dtg045n04na Až 220 ° C 40V 120a Zariadenie+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Špecifikácia+rev.1.0.pdf
120A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 Dte043n04na Až 263 40V 120a Zariadenie+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Špecifikácia+rev.1.0.pdf
68 V/7,2MΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B Dtd080n07n Až 252b 68 V 80A Dtd080n07n_datashet_v1.0.pdf
100 V/8MΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A Až 252b 100 V 68a DSD090N10L3A_DATASEet_V1.0.pdf
160A 120V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS044N12 až 220C DHS044N12 Až 220 ° C 120 V 160A Zariadenie DHS044N12 Špecifikácia.pdf
120A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D Až 252b 40V 120a Donghai+DHS021N04D+DataShet+v3.0.pdf
160a 120V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E Až 263 120 V 160A DHS044N12 & DHS044N12E_DATASEEet_V1.0.pdf
85 V/0,9 mΩ/360a N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL Dsu011n08n3a Mýto 85V 360a Dsu011n08n3a_datashet_v1.0.pdf
200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 Dse108n20na Až 263 200V 110A Dse108n20na_datashet_v1.0.pdf
100A 60V N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET DH066N06D TO-252B Dh066n06d Až 252b 60 V 100a Dh066n06d_datashet_v2.0.pdf
N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 18N20/f18n20/i18n20/e18n20/b18n20/d18n20
100 V/15MΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD Až 252b 100 V 50A DHS180N10LD_DATASEEet_V1.0-SQ.PDF
70a 60V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A DATP057N06N_DATASEet_V1.0.pdf
120A 70V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D Až 252b 70 V 120a Donghai+DHS130N06B a DHS130N06D+DataShet+V3.0 (1) .pdf

Video produkt

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com