värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
160A 120V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 KUNI -220C 120V 160A Seadme DHS044N12 spetsifikatsioon.pdf
70A 82V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 KUNI -220C 82V 70A Seadme DH8290 spetsifikatsioon.pdf
85 V/2,9 mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 KUNI -220C 85V 215A DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
80A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Seadme DH065N04 spetsifikatsioon.pdf
170A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Seadme DHS020N04P spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
12A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Seadme D12N06 spetsifikatsioon(TO-252B).pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 KUNI -220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
180A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Seade+DSD040N08N3A+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
220A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Seadme DH009N02P spetsifikatsioon.pdf
240A 85V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET DHS020N88U TOLL pakett DHS020N88U TOLL 85V 285A DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R KUNI -220C 100V 120A Seadme DH10H035R spetsifikatsioon.pdf
30A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Seadme DH081N03R spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 KUNI -220C 30V 320A Seadme DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Seadme 50N06B34 spetsifikatsioon.pdf
 N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Seadme DHS020N04D spetsifikatsioon.pdf
105A 68V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 KUNI -220C 20V 310A Seadme DH009N02 spetsifikatsioon.pdf
35A 120V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Seade+DSD270N12N3+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
60A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Seadme DH081N03 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti