未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
60A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 KUNI -220C 100V 59A Seadme DH0159B76 spetsifikatsioon(1).pdf
300A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSU021N10NA TASUPAKETT DSU021N10NA TOLL 100V 300A Seade+DSU021N10NA+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
33A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Seadme DH240N06L spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
65A 100V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
80A 80V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 KUNI -220C 80V 80A Seadme DH80N08 B22 spetsifikatsioon.pdf
240A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 KUNI -220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
120A100V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET D120N10 KUNI -220C 100V 120A Seadme D120N10ZR spetsifikatsioon.pdf
80A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 KUNI -220C 68V 80A Seadme DH072N07 spetsifikatsioon.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
54A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Seadme DH060N03R spetsifikatsioon.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U TOLL 100V 180A Seade+DHS025N10U+Spetsifikatsioon+V2.0.pdf
DSU010N04LA TOLL pakett DSU010N04LA
80A 40V N-kanali laiendusrežiim Toide MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKEND DH045N04P DFN5X6 40V 80A Seadme DH045N04P spetsifikatsioon(1).pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
120A 70V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Andmeleht+V3.0 (1).pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
100A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA KUNI -220C 150V 150A Seadme DSG059N15NA spetsifikatsioon.pdf
120A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 KUNI -220C 85V 125A Seade+DSG048N08N3+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
18A 200V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Seadme D18N20 spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com