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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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12V-300VNMOS

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110A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Especificação do dispositivo DHS055N85.pdf
PEDÁGIO N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 PEDÁGIO 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Especificação do dispositivo DH8004 (2).pdf
61A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Especificação do dispositivo DH16N06.pdf
240A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Especificação do dispositivo DHS025N10.pdf
19A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D PARA-252B 80 V 19A Especificação do dispositivo DH300N08.pdf
30A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Especificação do dispositivo DHZ24B31.pdf
120A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C e TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
80A 75V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Especificação do dispositivo D7509.pdf
300A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS010N04U PACOTE DE PORTÁGIO DHS010N04U PEDÁGIO 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
12A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D PARA-252B 100V 12A Especificação do dispositivo DH1K1N10.pdf
210A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Especificação do dispositivo N6005B40.pdf
112A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
180A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E PARA-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Especificação do dispositivo DH060N07D.pdf
Transistor de silício epitaxial NPN 2SD882 TO-126 2SD882 PARA-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
63A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Folha de dados V3.0.pdf de Donghai DHS021N04P

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