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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V NMOS

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MOSFET di potenza DHS055N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 110 A 85 V DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specifiche del dispositivo DHS055N85.pdf
100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET PEDAGGIO DSU023N10N3 PEDAGGIO 100 V 281A DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS020N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DHS020N88 TO-220C 85 V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Specifiche del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Dispositivo DH16N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS025N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 100 V DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specifiche del dispositivo DHS025N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 19 A 80 V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Dispositivo DH300N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHZ24 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 30 A 60 V DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specifiche del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C e TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 75 V D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Specifiche del dispositivo D7509.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS010N04U in modalità potenziamento canale N da 300 A 40 V DHS010N04U PEDAGGIO 40 V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 100 V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specifiche del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET di potenza N6005/FN6005/EN6005 in modalità potenziata a canale N da 210 A 60 V N6005 TO-220C 60 V 180A Specifiche del dispositivo N6005B40.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 112 A 68 V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N06E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS025N06E TO-263 60 V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Dispositivo DH060N07D Specifiche.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 63 A 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai DHS021N04P Scheda tecnica V3.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 100 V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H037R.pdf

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