未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

12V-300V NMOS

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 100 V DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specifiche del dispositivo DH0159B76(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 33 A 60 V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Dispositivo DH240N06L Specifiche Rev.2.0.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DSU021N10NA in modalità potenziamento canale N da 300 A 100 V DSU021N10NA PEDAGGIO 100 V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 65 A 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
MOSFET di potenza DHS022N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 60 V DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Scheda Tecnica+V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 80 V DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Dispositivo DH80N08 B22 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 120A100V D120N10 TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo D120N10ZR.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Dispositivo DH060N03R Specifiche.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 40 V PACCHETTO DH045N04P DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Specifiche del dispositivo DH045N04P(1).pdf
DSU010N04LA Pacchetto PEDAGGIO DSU010N04LA
Modalità di potenziamento a canale N MOSFET di potenza 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEDAGGIO 100 V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Specifica+V2.0.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
MOSFET di potenza DHS130N06D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 70 V DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Scheda dati+V3.0 (1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 100 A 30 V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Specifiche dispositivo DSG059N15NA.pdf
MOSFET di potenza DSG048N08N3 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 120 A 85 V DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Dispositivo+DSG048N08N3+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET N DSD190N10L3 TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com