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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET N 120 V/25 mΩ/36 A DSG270N12N3 TO-220C

DSG270N12N3
120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET N da 120 V/25 mΩ/36 A

1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

• Bassa resistenza 

• Basse capacità di trasferimento inverso

• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

• Test energetico da valanga al 100% a impulso singolo

• Applicazioni di test ΔVDS al 100%.

3 Applicazione

• Applicazioni di commutazione di potenza

• Convertitori DC-DC

• Controllo completo del ponte


VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
120 V 25 mΩ 36A


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