MOSFET N da 120 V/25 mΩ/36 A
1 Descrizione
Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
• Bassa resistenza
• Basse capacità di trasferimento inverso
• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS
• Test energetico da valanga al 100% a impulso singolo
• Applicazioni di test ΔVDS al 100%.
3 Applicazione
• Applicazioni di commutazione di potenza
• Convertitori DC-DC
• Controllo completo del ponte
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 120 V |
25 mΩ |
36A |