120V/25mΩ/36A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
• Düşük direnç
• Düşük ters transfer kapasitansları
• Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu
• %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
• %100 ΔVDS testi Uygulamalar
3 Uygulama
• Güç anahtarlama uygulamaları
• DC-DC dönüştürücüler
• Tam köprü kontrolü
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 120V |
25mΩ |
36A |