MOSFET N de 120 V/25 mΩ/36 A
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
• Baja resistencia
• Bajas capacitancias de transferencia inversa
• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS
• Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
• Aplicaciones de prueba 100% ΔVDS
3 Aplicación
• Aplicaciones de conmutación de energía
• Convertidores CC-CC
• Control total del puente
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 120V |
25mΩ |
36A |