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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C

DSG270N12N3
120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET
Disponibilité :
Quantité :

120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET

1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

• Faible résistance 

• Faibles capacités de transfert inverse

• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS

• Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

• Applications de tests 100 % ΔVDS

3 Demande

• Applications de commutation de puissance

• Convertisseurs DC-DC

• Contrôle total du pont


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
120V 25 mΩ 36A


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