120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
• Geringer Widerstand
• Geringe Rückübertragungskapazitäten
• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform
• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
• 100 % ΔVDS-Testanwendungen
3 Anwendung
• Leistungsschaltanwendungen
• DC-DC-Wandler
• Volle Brückenkontrolle
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 120V |
25mΩ |
36A |