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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C

DSG270N12N3
120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

• Geringer Widerstand 

• Geringe Rückübertragungskapazitäten

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

• 100 % ΔVDS-Testanwendungen

3 Anwendung

• Leistungsschaltanwendungen

• DC-DC-Wandler

• Volle Brückenkontrolle


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
120V 25mΩ 36A


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