未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12V-300V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

12 В-300В N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
320A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 До-220c 30 В 320A Устройство DH012N03 Specification.pdf
50A 120V N-канальный режим режима мощности MOSFET DH150N12D до 252B DH150N12D До 252b 120 В 50а Устройство DH150N12 Specification.pdf
60A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 До-220f 68 В 60A Устройство 50N06B34 Specification.pdf
60A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70В 56а DH105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
60A 68V N-Channel Mode Mode Power Mosfet DHD50N06 до 252B DHD50N06 До 252b 68 В 60A Устройство 50N06B34 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 40V DHS020N04D до 252B DHS020N04D До 252b 40 В 180a Устройство DHS020N04D Specification.pdf
80A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E До 263 68 В 80A Устройство DH072N07 Specification.pdf
105A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N07E до 263 DHS055N07E До 263 68 В 105а Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+DataSheet+v2.0 .pdf
80A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07d До 252b 68 В 80A Устройство DH072N07 Specification.pdf
105A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N07D до 252B DHS055N07d До 252b 68 В 95а DONGHAI+DHS055N07B & DHS055N07D+DataShieT+v2.0 .pdf
12A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH850N10D до 252B DH850N10D До 252b 100 В 12A Устройство DH850N10D Спецификация (1) .pdf
320A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH012N03D до 252B DH012N03D До 252b 30 В 320A Устройство DH012N03 Specification.pdf
N-канальный режим режима мощности MOSFET 145A 60V DH045N06D до 252B DH045N06 До-220c 60 В 145а Устройство DH045N06 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 До 263 80 В 180a Устройство DH8004 спецификация (2) .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 120A 85V DHS045N88D до 252B DHS045N88 До-220c 85 В 120a Устройство DHS045N88 Speciation-Rev.1.0.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E До 263 85 В 120a Устройство DHS045N88 Speciation-Rev.1.0.pdf
110A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E До 263 85 В 110a Устройство DHS055N85 Specification.pdf
238A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH026N06E до 263 DH026N06E До 263 60 В 238а Устройство DH026N06 Specification.pdf
100A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 До-220c 60 В 100А DH066N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
40A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD80N03 до 252B DHD80N03 До 252b 30 В 40a DHD80N03_DATASHEET_V3.0.PDF

Видео продукта

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com