portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
110A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 -220C 85V 110A Laite DHS055N85 Specification.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET TULL DSU023N10N3 TOLL 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 -220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
61A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 -220C 60V 61A Laite DH16N06 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 -220C 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
240A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 -220C 100V 240A Laite DHS025N10 Specification.pdf
30A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 -220C 60V 30A Laite DHZ24B31 Specification.pdf
19A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Laite DH300N08 Specification.pdf
80A 75V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D7509 TO-220C D7509 -220C 75V 80A Laite D7509 Specification.pdf
12 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Laite DH1K1N10 Specification.pdf
120A 80V N-kanavan lisätilateho MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 -220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
300A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS010N04U TOLL PAKETTI DHS010N04U TOLL 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
210A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 -220C 60V 180A Laite N6005B40 Specification.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
112A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 -220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
 N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Laitteen DH060N07D Specification.pdf
NPN epitaksiaalinen piitransistori 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
63A 60V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R -220C 100V 120A Laitteen DH10H037R Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi