未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » Mosfet » 12 V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

12 V-300V N MOS

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
108a 85v N-kanavan parannustila tehoteho MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P Dfn5*6-8 85 V 108a Dhs042n85p_datasheet_v1.0.pdf
47a 100v N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P Dfn5x6 100 V 47a Laite DH135N10P Specification.pdf
35A 120 V N-kanavan parannustila Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35a Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
200 V/11MΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110a Dsg108n20na_datasheet_v1.0.pdf
155A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155a Laite DH035N04 Specification.pdf
100 V/5,2MΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A Dfn5x6 100 V 95a Dsp070n10l3a_datasheet_v1.0.pdf
170A 30V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
110A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110a Dh065n06d_datasheet_v2.0.pdf
20A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20a Dhs400n10d_datasheet_v2.0 .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110a Laite DHS052N10 Specification.pdf
25A 100 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150a Laite DH025N03 Specification.pdf
120A 30 V N-kanavan parannustila Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P Dfn5x6 30 V 120a Laite DH025N03P -määritys (1) (1) .pdf
220A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DTG025N04NA TO-220C Dtg025n04na TO-220C 40 V 220a Laite DTE025N04NA & DTG025N04NA Specification Rev.1.0.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68a DH140N10B & DH140N10D_DataSheet_v1.0.pdf
116A 68 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet DH070N07 TO-220C 70 V 100a DH070N07 (T0F) _DataSheet_v1.0.pdf
100A 30 V N-kanavan parannusmoodi MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100a 30H10yaf_datasheet_v1.0.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110a Laite DHS052N10 Specification.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110a Laite DHS052N10 Specification.pdf
30A 60V N-kanavan parannusmoodi MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30a Laite DHZ24B31 Specification.pdf
120A 98V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120a Laite DHS046N10 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com