ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
DSU010N04LA Платний пакет DSU010N04LA
33A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD ТО-252Б 60В 33А Специфікація пристрою DH240N06L Rev.2.0.pdf
240A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 ТО-220С 60В 180А Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
120A 70V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D ТО-252Б 70В 120А Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Технічний опис+V3.0 (1).pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
ДСГ150Н10Л3 ТО-220 DSG150N10L3
80A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100В 80А Специфікація пристрою DHS065N10P(1).pdf
130A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85В 130А Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P ДФН5х6-8л 30В 96A Специфікація пристрою DH030N03P.pdf
60A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 ТО-220С 100В 59A Специфікація пристрою DH0159B76(1).pdf
300A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSU021N10NA ПЛАТНИЙ ПАКЕТ DSU021N10NA ПЛАТА 100В 300А Пристрій+DSU021N10NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
65A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
80A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 ТО-220С 80В 80А Специфікація пристрою DH80N08 B22.pdf
50A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F50N20 F50N20 ТО-220Ф 200В 50А Специфікація пристрою F50N20(1).pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 ТО-220С 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
120A100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D120N10 ТО-220С 100В 120А Специфікація пристрою D120N10ZR.pdf
180A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA ТО-263 100В 180А Пристрій+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
110A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E ТО-263 60В 110А Пристрій+DH066N06+Специфікація+Ред.2.0.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 ТО-220С 60В 60А Специфікація пристрою DH60N06+.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 ТО-252Б 30В 100А Пристрій DH100N03 B13 Specification.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку