brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
19A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Specifikace zařízení DH300N08.pdf
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
100A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P DataSheet V3.0.pdf
80A 75V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Specifikace zařízení D7509.pdf
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Specifikace zařízení DH1K1N10.pdf
300A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N04U TOLL BALÍČEK DHS010N04U MÝTNÉ 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
210A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Specifikace zařízení N6005B40.pdf
60A 68V 68V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60V 60A Zařízení DH60N06 Specifikace+.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Zařízení DH100N03 B13 Specifikace.pdf
110A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Zařízení+DH066N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
110A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Specifikace zařízení DHS055N85.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET MÝTA DSU023N10N3 MÝTNÉ 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
112A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
50A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Specifikace zařízení F50N20(1).pdf
80A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Specifikace zařízení DHS065N10P(1).pdf
96A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Specifikace zařízení DH030N03P.pdf
130A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky