未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
180A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zařízení+DSD040N08N3A+Specifikace+Rev.1.0.pdf
105A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Specifikace zařízení DH025N04.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifikace zařízení DH50N06FZC.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení DH10H035R.pdf
50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120V 50A Specifikace zařízení DH150N12.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
140A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
90A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Specifikace zařízení DHD80N08.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Zařízení+DHS250N10D+Specifikace+Rev1.0.pdf
Výkonový MOSFET 63A 60V N-channel Enhancement Mode DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení DH10H037R.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Specifikace zařízení DHS046N10.pdf
130A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Specifikace zařízení DH025N04.pdf
180A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
61A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Specifikace zařízení DH16N06.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Specifikace zařízení DH8004 (2).pdf
240A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Specifikace zařízení DHS025N10.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com