未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

12V-300V n mos

obrázku modelu Balíček v a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
12A 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100v 12a Zařízení DH1K1N10 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
100A 40V N-CANNEL REŽIMEM POWER MOSFET DHS008N04P DFN5X6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100a Dhs008n04p_datasheet_v1.0.pdf
70a 82V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82v 70a Zařízení DH8290 Specifikace.pdf
120a 85V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85v 125a Zařízení+DSG048N08N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
90a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30v 90a Zařízení DH90N03 B17 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80a Zařízení 80N06 Specifikace.pdf
160a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160a Zařízení 110N04 Specifikace.pdf
110a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
100V 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30v 100a Specifikace zařízení DH033N03 (1) .pdf
175a 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100v 180a Zařízení+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
80a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
96A 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100v 96a Zařízení DSP051N10N Specifikace Rev.1.0.pdf
65a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30v 65a Zařízení DH033N03R Specifikace.pdf
112a 85V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85v 112a Zařízení DHS043N85P Specification-Rev.1.0.pdf
100a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30v 100a Specifikace zařízení DHP150N03 (1) .pdf
100A 100V N-CANNEL REŽIMEM REŽIM MOSFET DHS065N10 TO-220C 100v 95a Zařízení+DHS065N10+Specifikace+Rev.2.0.pdf
120a 90V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120a Zařízení DH90N055R Specifikace.pdf
220a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220a Zařízení DTE025N04NA & DTG025N04NA Specifikace Rev.1.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by vodong.com