未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

12V-300V N MOS

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
80A 75 V N-kanali parendamise režiim MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Seade D7509 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Seade DHS045N88 SPECIFICATION-REV.1.0.pdf
100A 40 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DHS008N04P DFN5X6 DHS008N04P Dfn5x6 40 V 100A DHS008N04P_DATASHEET_V1.0.pdf
70A 82V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82 V 70A Seade DH8290 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Seade 80n06 spetsifikatsioon.pdf
110A 100 V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
100A 30 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Seade DH033N03 spetsifikatsioon (1) .pdf
160A 40V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Seade 110n04 spetsifikatsioon.pdf
120A 85V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Seade+DSG048N08N3+SPECIFICATION+REV.1.0.pdf
90A 30V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Seade DH90N03 B17 spetsifikatsioon.pdf
220A 40V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Seade DTE025N04NA & DTG025N04NA SPECIFICHIFICHIFICHIFICHIFIFICE.1.0.pdf
108A 85V N-kanali parendamise režiim MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P Dfn5*6-8 85 V 108a DHS042N85P_DATASHEET_V1.0.pdf
175A 80 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DHS035N8E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
N-kanali suurendamise režiimi võimsus MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10na TO-220C 100 V 180A Seade+DSE026N10NA & DSG028N10NA+SPEPICATIFICHIFICATION+REV.1.0.pdf
80A 60 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
96A 100 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N Dfn5*6-8 100 V 96a Seade DSP051N10N spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
65A 30 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R Dfn3x3 30 V 65a Seade DH033N03R spetsifikatsioon.pdf
112A 85V N-kanali parendamise režiim MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P Dfn5*6 85 V 112a Seade DHS043N85P SPECIFICATION-REV.1.0.pdf
100A 30 V N-kanaliga tugevdusrežiim MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 Dfn5x6 30 V 100A Seade DHP150N03 spetsifikatsioon (1) .pdf
100A 100 V N-kanali parendamise režiimi mootor MOSFET DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Seade+DHS065N10+SPECIFICATION+REV.2.0.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com