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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V NMOS

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MOSFET di potenza DSD040N08N3A TO-252B in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 105 A 40 V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H035R.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifiche del dispositivo DH50N06FZC.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 120 V DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Specifiche del dispositivo DH150N12.pdf
MOSFET di potenza DSG030N10N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 170 A 100 V DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DSG070N15NA TO-220C in modalità potenziamento canale N da 140 A 150 V DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD80N08 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 80 V DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specifiche del dispositivo DHD80N08.pdf
MOSFET di potenza DHS250N10D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Specifica+Rev1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 63 A 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 100 V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS046N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 120 A 98 V DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS046N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N06E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 130 A 40 V DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Specifiche del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Dispositivo DH16N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS025N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 100 V DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specifiche del dispositivo DHS025N10.pdf

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