MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 60 V
1 Descrizione
I mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Bassa resistenza
● Carica di gate bassa
● Basse capacità di trasferimento inverso
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di potenza
● Convertitori CC-CC
● Controllo completo del ponte
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 60 V |
2,2 mΩ |
180A |