cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 12V-300V NMOS » MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 60 V DHS025N06E TO-263

caricamento

Condividi su:
pulsante di condivisione di Facebook
pulsante di condivisione su Twitter
pulsante di condivisione della linea
pulsante di condivisione wechat
pulsante di condivisione linkedin
pulsante di condivisione di Pinterest
pulsante di condivisione di whatsapp
condividi questo pulsante di condivisione

MOSFET di potenza DHS025N06E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V

I mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS.
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 60 V


1 Descrizione 

I mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni 

● Applicazioni di commutazione di potenza 

● Convertitori CC-CC 

● Controllo completo del ponte


VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
60 V 2,2 mΩ 180A


Precedente: 
Prossimo: 
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta