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180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N06E TO-263

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● DC-DC-Wandler 

● Vollständige Brückenkontrolle


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
60V 2,2 mΩ 180A


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