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180a 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS025N06E TO-263

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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180A 60V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
60 V 2,2 mΩ 180a


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