Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DHS025N06E
WXDH
Έως 263
60V
180α
180A 60V N-Channel MODENCE MOSFET
1 περιγραφή
Η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησε προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχε εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας
● Μετατροπείς DC-DC
● πλήρης έλεγχος γέφυρας
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
60V | 2.2mΩ | 180α |
180A 60V N-Channel MODENCE MOSFET
1 περιγραφή
Η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησε προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχε εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας
● Μετατροπείς DC-DC
● πλήρης έλεγχος γέφυρας
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
60V | 2.2mΩ | 180α |