未命名 (1) (8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » Mosfet » 12V-300V N MOS » 180a 60V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET DHS025N06E TO-263

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

180A 60V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET DHS025N06E TO-263

Az N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET-ek Advanced Splite Gate Trench Technology Design-t használtak, kiváló RDSON-t és alacsony kapu töltést biztosítanak. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:
Érdeklődik Adja hozzá a kosárhoz

180A 60V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET


1 Leírás 

Az N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET-ek Advanced Splite Gate Trench Technology Design-t használtak, kiváló RDSON-t és alacsony kapu töltést biztosítanak. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony az ellenállás 

● Alacsony kapu töltés 

● Alacsony fordított transzfer kapacitás 

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 


3 alkalmazás 

● Teljesítményváltó alkalmazások 

● DC-DC konverterek 

● Teljes hídvezérlés


VDSS Rds (be) (typ) Személyazonosság
60 V -os 2,2mΩ 180a


Előző: 
Következő: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába
    Benyújt
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology készítette Leadong.com