180A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N06E TO-263

Výkonový MOSFET 180A 60V N-channel Enhancement Mode

1 Popis 

Výkonové mosfety v režimu vylepšení N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu s děleným hradlem, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● DC-DC měniče 

● Úplné ovládání mostu

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
60V	2,2 mΩ	180A