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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 60V, DHS025N06E TO-263

Les mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 60 V


1 Descriptif 

Les mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance 

● Convertisseurs DC-DC 

● Contrôle complet du pont


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
60V 2,2 mΩ 180A


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