گیٹ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
آپ یہاں ہیں: گھر » مصنوعات » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N06E TO-263

لوڈ ہو رہا ہے

اس کے ساتھ اشتراک کریں:
فیس بک شیئرنگ بٹن
ٹویٹر شیئرنگ بٹن
لائن شیئرنگ بٹن
وی چیٹ شیئرنگ بٹن
لنکڈ شیئرنگ بٹن
پنٹیرسٹ شیئرنگ بٹن
واٹس ایپ شیئرنگ بٹن
اس شیئرنگ بٹن کو شیئر کریں۔

180A 60V N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور MOSFET DHS025N06E TO-263

N-channel enhancement mode power mosfets نے جدید اسپلائٹ گیٹ ٹرینچ ٹیکنالوجی ڈیزائن کا استعمال کیا، بہترین Rdson اور کم گیٹ چارج فراہم کیا۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔
دستیابی:
مقدار:

180A 60V N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور MOSFET


1 تفصیل 

N-channel enhancement mode power mosfets نے جدید اسپلائٹ گیٹ ٹرینچ ٹیکنالوجی ڈیزائن کا استعمال کیا، بہترین Rdson اور کم گیٹ چارج فراہم کیا۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔ 


2 خصوصیات 

● تیز سوئچنگ 

● کم مزاحمت 

● کم گیٹ چارج 

● کم ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس 

● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ 

● 100% ΔVDS ٹیسٹ 


3 درخواستیں 

● پاور سوئچنگ ایپلی کیشنز 

● DC-DC کنورٹرز 

● مکمل پل کنٹرول


وی ڈی ایس ایس RDS(آن)(TYP) ID
60V 2.2mΩ 180a


پچھلا: 
اگلا: 
  • ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
  • مستقبل کے لیے ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
    براہ راست اپنے ان باکس میں اپ ڈیٹس حاصل کرنے کے لیے