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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DH8004 TO-220C

MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V
Disponibilità:
Quantità:

Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 180A 80V


1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni 

● Commutazione dell'alimentazione

● Convertitori CC-CC 

● Controllo dell'utensile elettrico 

● Applicazioni elettroniche automobilistiche


VDS RDS(acceso)tip. ID
80 V 2,8 mΩ 180A


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