gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS N -kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 80V
Tillgänglighet:
Kvantitet:

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 80V


1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Snabbbrytning

● Låg motstånd

● Låg grindavgift 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Växla strömförsörjning

● DC-DC-omvandlare 

● Kontroll av elverktyg 

● Automotive Electronics Applications


Vds Rds (på) typ. Id
80v 2,8mΩ 180A


Tidigare: 
Nästa: 
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg