N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 180A 80V

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç kaynağının değiştirilmesi

● DC-DC dönüştürücüler 

● Elektrikli alet kontrolü 

● Otomotiv elektroniği uygulamaları

VDS'ler	RDS(açık)tip.	İD
80V	2,8 mΩ	180A