N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն
● Դարպասի ցածր լիցքավորում
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Սնուցման անջատում
● DC-DC կերպափոխիչներ
● Էլեկտրական գործիքի կառավարում
● Ավտոմոբիլային էլեկտրոնիկայի հավելվածներ
| VDS |
RDS(on)typ. |
ID |
| 80 Վ |
2,8 mΩ |
180 Ա |