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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 80V DH8004 TO-220C

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 80 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 80V


1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible résistance

● Faible charge de porte 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Alimentation à découpage

● Convertisseurs DC-DC 

● Contrôle des outils électriques 

● Applications électroniques automobiles


VDS Type RDS(on). IDENTIFIANT
80V 2,8 mΩ 180A


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