N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 80 V DH8004 TO-220C

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 80 V

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Schaltnetzteil

● DC-DC-Wandler 

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● Anwendungen der Automobilelektronik

VDS	RDS(on)typ.	AUSWEIS
80V	2,8 mΩ	180A