brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V
Dostupnost:
Množství:

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V


1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 


3 Aplikace 

● Spínaný zdroj

● DC-DC měniče 

● Ovládání elektrického nářadí 

● Aplikace automobilové elektroniky


VDS RDS(on)typ. ID
80V 2,8 mΩ 180A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky