N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V
1 Popis
Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Nízký odpor
● Nízký poplatek za bránu
● Nízké zpětné přenosové kapacity
● 100% jednopulzní lavinový energetický test
● 100% test ΔVDS
3 Aplikace
● Spínaný zdroj
● DC-DC měniče
● Ovládání elektrického nářadí
● Aplikace automobilové elektroniky
| VDS |
RDS(on)typ. |
ID |
| 80V |
2,8 mΩ |
180A |