未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » Mosfet » 12 V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

12 V-300V N MOS

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
12A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12a Laite DH1K1N10 Specification.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120a Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 40V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS008N04P DFN5X6 DHS008N04P Dfn5x6 40 V 100a Dhs008n04p_datasheet_v1.0.pdf
70A 82V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82 V 70a Laite DH8290 Specification.pdf
120A 85V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125a Laite+dsg048n08n3+eritelmä+rev.1.0.pdf
90A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90a Laite DH90N03 B17 Specification.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80a Laite 80N06 Specification.pdf
110A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
100A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100a Laite DH033N03 -määritys (1) .pdf
160A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160a Laite 110N04 Specification.pdf
112A 85V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P Dfn5*6 85 V 112a Laite DHS043N85P Specification-REV.1.0.pdf
100A 30V N-kanavan parannustila MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 Dfn5x6 30 V 100a Laite DHP150N03 -määritys (1) .pdf
100A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS065N10 TO-220C 100 V 95a Laite+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf
120A 90V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90 V 120a Laite DH90N055R Specification.pdf
220A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220a Laite DTE025N04NA & DTG025N04NA Specification Rev.1.0.pdf
108a 85v N-kanavan parannustila tehoteho MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P Dfn5*6-8 85 V 108a Dhs042n85p_datasheet_v1.0.pdf
175A 80V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DataSheet_v2.0.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180a Laite+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
80A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
96A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N Dfn5*6-8 100 V 96a Laite DSP051N10N -spesifikaatio Rev.1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröidy uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com