未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
105A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Laite DH025N04 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R -220C 100V 120A Laitteen DH10H035R Specification.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 -220C 68V 60A Laite DH50N06FZC Specification.pdf
50A 120V N-kanavan lisätila Virta MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 -220C 120V 50A Laite DH150N12 Specification.pdf
NPN epitaksiaalinen piitransistori 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
170A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 -220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
140A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA -220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
90A 80V N-kanavan parannustila Virta MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Laite DHD80N08 Specification.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Laite+DHS250N10D+Specification+Rev1.0.pdf
63A 60V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R -220C 100V 120A Laitteen DH10H037R Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 -220C 98V 120A Laite DHS046N10 Specification.pdf
130A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Laite DH025N04 Specification.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 -220C 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
61A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 -220C 60V 61A Laite DH16N06 Specification.pdf
240A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 -220C 100V 240A Laite DHS025N10 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com